Учебный фильм для студентов вузов по курсу «Общая физика». О природе электропроводимости твёрдых тел с помощью техники современного физического эксперимента.
Перфолента.
Автоматически работает расшифровка информации с перфоленты в текст и распечатка его.
Графопостроитель.
Электронная лампа.
Различные виды электронных ламп.
Электронная лампа - это стеклянная колба с анодом, катодом и сеткой.
Лампа все время видоизменялась, неизменным оставался принцип эмиссии электродов разогретым катодом.
Основным элементом электронных вакуумных приборов является нить накала.
Крупно работа электронной лампы.
Открытие явления внутреннего фотоэффекта привело к созданию полупроводниковой техники.
Граммофон.
Старый телевизор, на экране которого показаны стилизованные изображения телефона, автомобиля, граммофона.
Калькулятор.
Рассмотрим вопросы зонных представлений физики полупроводников.
Проводники тока (лезвие бритвы) и диэлектрики (стеклянный шар).
Проводимость полупроводников зависит от внешнего воздействия.
Внутренний мир кристалла не совсем обычный.
Здесь действуют законы квантовой механики.
Как пример, рассмотрим кремний, наиболее распространенный материал в производстве полупроводниковых приборов.
У кремния 14 электронов.
10 из них находятся на внутренних орбитах.
4 внешних электрона определяют его валентность.
Мультфильм, поясняющий строение молекулы кремния.
В кристаллическом кремнии валентные электроны обобществляются.
Мультфильм, показывающий этот процесс.
Электроны участвуют в валентном обмене, что не может привести к возникновению электрического тока.
Что бы понять, как работают полупроводники нужно отказаться от привычных представлений классической физики.
Электротехника, Электронные лампы, Квантовая механика
Энергетическая модель атома кремния.
Эта модель состоит их 3-х энергетических уровней.
Они заполнены электронами в соответствии с принципом Паули.
На нижнем уровне 2 электрона, на среднем 8.
На верхнем уровне 4 электрона.
В процессе образования кристалла происходит превращение энергетических уровней изолированных атомов в зоны уровней.
Зона, занятая валентными электронами, называется валентной.
Ближайшая к ней свободная зона называется зоной проводимости.
Между ними находится интервал энергии недоступный для электронов.
Это основные понятия зонной теории твердого тела.
Число уровней, составляющих валентную зону и зону проводимости пропорциональны числу атомов, образующих кристалл.
Демонстрируется зонная модель с полностью заполненной валентной и совершенно пустой зоной проводимости.
Ноты.
Аналогия зонной модели с нотной записью.
Сравнение плоскостной модели кристалла с зонной.
Сравнивая разные модели поведения валентных электронов, выясняется, что энергетическое состояние отмеченного нами электрона остается неизменным, в то время как в системе пространственных представлений он участвует в валентном обмене.
Что бы кристалл стал электропроводным необходим переход электрона из валентной зоны в зону проводимости.
Необходимо появления свободного носителя заряда.
Условием для получения такого электрона является нагревание.
При нагревании атомы кристалла приходят в колебательное движение, это приводит к тому, что электрон валентной зоны получает энергию, достаточную для перехода в зону проводимости.
При этом в валентной зоне образуется свободное состояние или дырка.
Схематическое изображение такого перехода электронов.
Дырка ведет себя как частица, заряженная положительно.
При наложении внешнего электрического поля свободные электроны и дырки движутся в противоположных направлениях.
Кристалл становится электропроводным.
Если в кристалле содержится примесь чужеродных атомов, то в запрещенной зоне появляются примесные уровни.
Электроны атомов примеси легко переходят в зону проводимости.
Примесные атомы превращаются в положительные ионы.
Такие примеси называются донорными или N-типа.
Другие примеси создают разрешенные уровни вблизи валентной зоны.
Электроны из валентной зоны переходят на эти уровни, а в зоне образуются дырки.
Ион примеси в этом случае оказывается отрицательным.
Такие примеси называются акцепторными или P-типа.
Электрические свойства твердых тел зависят от заполнения зон и наличия в энергетическом спектре запрещенной зоны.
В изоляторе запрещенная зона широкая.
В полупроводниках уже.
В металле валентная зона заполнена частично.
Из-за малой ширины запрещенной зоны полупроводники необычайно чувствительны к внешним воздействиям.
Это их свойство привело к возникновению полупроводниковой электроники.
В технике наиболее широко применяются полупроводниковые кристаллы, в которых сформированы области с различными типами примесей.
В месте контакта областей с донорной и акцепторной примесями свободные электроны и дырки диффундируют навстречу друг другу.
В результате рекомбинации в области РN перехода возникает потенциальный барьер.
Перед нами своеобразный электрический вентиль, основной элемент многих полупроводниковых устройств.
Различные полупроводниковые элементы.
Кристалл, Электрон, Дырка, Полупроводники, Зонной теория твердого тела